背景介绍：

魏苏淮1981年于复旦大学获物理学学士学位，后通过中美物理联合招生（CUSPEA）去美国留学。1985年于美国威廉玛丽学院（College of William and Mary）获理学博士学位。1985年至2015年，在美国国家可再生能源实验室（NREL）工作，担任过理论研究室主任、国家实验室Fellow。2015年全职回国后担任北京计算科学研究中心讲席教授，材料与能源研究部主任。2024年6月入职宁波东方理工大学（暂名）担任物理学院院长。他是美国物理学会会士（APS Fellow，1999），国际材料学会（MRS Fellow, 2014）会士。魏苏淮2007-2010年担任复旦大学讲座教授，2015年入选国家级人才。担任了科技部重点研发计划首席科学家, 主持了基金委重大项目。担任国际三元和多元化合物会议（ICTMC）和国际半导体缺陷会议（ICDS）大会主席。至2024年6月已发表论文580多篇，其中70多篇发表在《物理评论快报》（Physical Review Letters）上，被引用次数大于76000次，H因子大于136。

研究领域：

魏苏淮长期从事凝聚态物理的理论计算研究，通过发展第一性原理计算方法，在半导体的电子结构、无序合金、缺陷和掺杂、磁性半导体、光电及能源材料等方面取得了系统的原创性成果。他与合作者发展的第一性原理全电子、全势的FLAPW方法是目前计算固体电子结构最精确的方法；他与合作者提出的计算无序合金物理性质的特殊准随机结构（SQS）方法是目前第一性原理计算合金性质的标准方法；他发展了第一性原理半导体缺陷计算方法，与合作者建立了半导体平衡态掺杂极限定则。

教育背景：

1983年6月-1985年8月，博士，美国威廉玛丽学院（College of William and Mary），物理系，固体物理理论

1981年8月-1983年5月，硕士，美国威廉玛丽学院（College of William and Mary），物理系，理论物理

1978年2月-1981年6月，学士，复旦大学，物理二系，核物理

工作经历：

2024年6月-至今，宁波东方理工大学（暂名），讲席教授、物理学院院长

2015年9月-2024年5月，北京计算科学研究中心（CSRC），讲席教授、材料与能源研究部主任

2014年11月-2015年10月，美国再生能源国家实验室（NREL），国家实验室Fellow

2003年4月-2014年10月，美国再生能源国家实验室（NREL），首席科学家、材料科学理论研究室主任

1995年4月-2003年3月，美国再生能源国家实验室（NREL），资深科学家II、计算材料科学组组长                                           

1992年4月-1995年3月，美国再生能源国家实验室（NREL），资深科学家I

1990年1月-1992年3月，美国太阳能研究所（SERI），科学家

1988年8月-1989年12月，美国太阳能研究所（SERI），助理研究员

1985年8月-1988年8月，美国太阳能研究所（SERI），博士后           

学术兼职

目前任职：

1. American Physical Society (APS) Fellow

2. The Materials Research Society (MRS) Fellow

3. 中国材料研究学会计算材料学分会副主任

4. 中国材料研究学会材料基因分会委员

5. Associated Editor for the following journals:

Computational Materials Sciences 

Chinese Physics Letters

Chinese Physics B 

National Science Open (NSO)

Science China Physics, Mechanics & Astronomy

International Advisory Board Member for Brazil’s Center for Innovation on New Energies (CINE)

International Advisory Committee Member of the International Conference of Ternary and Multinary Compounds（第22届大会主席）

International Advisory Committee Member of the International Conference on Defects in Semiconductors （第33届大会主席）

吉林大学物质模拟方法与软件教育部重点实验室学术委员会委员

复旦大学物质计算教育部重点实验室和基金委计算方法与软件基础科学中心学术委员会委员

获奖情况及荣誉：

1999：American Physical Society (APS) Fellow

2007：讲座教授，复旦大学

2009：APS Outstanding Referee Award

2014：The Materials Research Society (MRS) Fellow

2014：NREL Laboratory Research Fellow （国家实验室Fellow）

2015：国家级人才

代表性论著：

总体情况

至2024年6月已发表论文580多篇，其中70多篇发表在《物理评论快报》（Physical Review Letters）上，被引用次数大于76000次，H因子大于136。

论著信息及引用数据

Google Scholar：

https://scholar.google.com/citations?user=WLN0rVoAAAAJ 

Web of Knowledge：

https://www.webofscience.com/wos/author/record/1896768 

10篇代表作（*表示通讯作者）

1. S.-H. Wei and H. Krakauer, “Local-density-functional calculation of the pressure-induced metallization of BaSe and BaTe”, Phys. Rev. Lett. 55, 1200 (1985). 

2. S.-H. Wei and A. Zunger, “Role of metal d states in II-VI semiconductors”, Phys. Rev. B 37, 8958 (1988). 

3. H.-X. Deng, J.-W. Luo*, S.-S. Li, and S.-H. Wei*, “Origin of the distinct diffusion behaviors of Cu and Ag in covalent and ionic semiconductors”, Phys. Rev. Lett. 117, 165901 (2016). 

4. A. Walsh, J.L.F. Da Silva, and S.-H. Wei, “Theoretical description of carrier mediated magnetism in cobalt doped ZnO”, Phys. Rev. Lett. 100, 256401 (2008). 

5. S.-H. Wei, L. G. Ferreira, J. E. Bernard, and A. Zunger, “Electronic properties of random alloys: special quasirandom structures”, Phys. Rev. B 42, 9622 (1990). 

6. S.-H. Wei and A. Zunger, “Giant and composition-dependent optical bowing coefficient in GaAsN alloys”, Phys. Rev. Lett. 76, 664 (1996). 

7. J. Yang and S.-H. Wei*, “First-principles study of the band gap tuning and doping control in CdSexTe1-x alloy for high efficiency solar cell”, Chin. Phys. B 28, 086106 (2019). 

8. C. H. Park, S. B. Zhang and S.-H. Wei, “Origin of p-type doping difficulty in ZnO: The impurity perspective,” Phys. Rev. B 66, 073202 (2002). 

9. S. B. Zhang and S.-H. Wei, “Nitrogen solubility and induced defect complexes in epitaxial GaAs:N,” Phys. Rev. Lett. 86, 1789 (2001). 

10. Y. Gai, J. Li*, S.-S. Li, J.-B. Xia and S.-H. Wei*, “Design of narrow-gap TiO2: A passivated codoping approach for enhanced photoelectrochemical activity,” Phys. Rev. Lett. 102, 036402 (2009).