魏苏淮1981年获得复旦大学物理学学士学位，1985年获得美国威廉玛丽学院（College of William and Mary）理学博士学位。2015年全职回国后担任北京计算科学研究中心讲席教授，材料与能源研究部主任。他是美国物理学会会士（APS Fellow，1999），国际材料学会（MRS Fellow,2014）会士。

魏苏淮为科技部重点研发计划首席科学家，主持基金委重大项目。他还担任了国际三元和多元化合物会议（ICTMC-22）和国际半导体缺陷会议（ICDS-33）大会主席。截至2024年6月，已发表论文580余篇，其中70余篇发表在《物理评论快报》（Physical Review Letters）上，被引用次数大于76000次，H指数大于136（Google Scholar）。

魏苏淮长期从事凝聚态物理的理论计算研究，通过发展第一性原理计算方法，在半导体的电子结构、无序合金、缺陷和掺杂、磁性半导体、光电及能源材料等方面取得了系统的原创性成果。他与合作者发展的第一性原理全电子、全势的FLAPW方法是目前计算固体电子结构最精确的方法；他与合作者提出的计算无序合金物理性质的特殊准随机结构（SQS）方法是目前第一性原理计算合金性质的标准方法；他发展了第一性原理半导体缺陷计算方法，与合作者建立了半导体平衡态掺杂极限定则。